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连续提拉法(CCZ Process)的发展和数值仿真技术
原文作者:CnTech 发布时间: 2015-03-16 09:02:06 新闻来源: CnTech
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    2015年3月15日,在中国国际半导体技术大会的Si Materials and Photovoltaic Technology(硅材料和光伏技术)分会场内,上海大学吴亮教授的报告CCZ Process(连续提拉法晶体生长)引起了广泛的关注和热议。

 

 

    吴教授向各位与会者介绍了CCZ的发展历程以及近几年CCZ工艺所取得的突破。连续提拉法晶体生长是一项复杂而具有市场潜力的技术,传统的提拉法晶体生长,由于坩埚溶液液面下降,导致坩埚内壁裸露,由于坩埚内壁的温度很高,因而对晶体、熔体中的温度场影响很大;而连续提拉法晶体生长能够很好的解决这一问题。同时,相比于传统的提拉法,CCZ的连续加料技术将有效的降低生产单晶硅晶圆的成本。

 

    工业使用者梦想通过CCZ晶体生长法得到超高电阻率的硅片,高电阻率或者超高电阻率的硅晶圆,在晶圆厚度方向电阻率具有良好的均匀性,同时沿轴向和径向的电阻率梯度也具有一定均匀性,且在整个器件加工时具备稳定性。

 

    然而,晶体生长技术推向工业生产之前都会进行无数次的设计测试和实验,为此付出的成本是无法估量的。吴教授的团队,采用FEMAG软件的CCZ数值模拟技术,根据指定的工艺条件、掺杂数量和掺杂种类,成功的模拟了CCZ晶体生长的热场、流场和掺杂的分布情况。

 

 

 FEMAG软件不仅能够帮助工程师了解CCZ工艺的质量、设计出能够达到最佳电阻率均匀性的工艺工程,还能够极大的降低高昂的重复性实验成本。在半导体、光伏行业市场竞争越来越激烈的今天,掌握核心技术、降低生产成本,企业才能打破国外的技术封锁,具备核心竞争力。