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直拉硅单晶生长过程的缺陷建模及其数值模拟仿真技术
原文作者:CnTech 发布时间: 2016-05-11 14:44:07 新闻来源: CnTech
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直拉硅单晶生长过程的缺陷建模及其数值模拟仿真技术

---2016国际大师讲坛

演讲题目:

        Defect Modeling and Simulation for Czochralski Silicon Single Crystal Growth Process

        直拉硅单晶生长过程的缺陷建模及其数值模拟仿真技术

 

演讲人:FRANCOIS DUPRET教授

 

演讲人简介:

        Francois Dupret教授是比利时鲁汶大学荣誉教授,国际晶体生长数值模拟领域开拓性学者,著名晶体生长数值模拟软件FEMAG SA研发公司CEO,曾任“晶体生长”期刊(Journal of Crystal Growth,SCI收录期刊)会议论文主编,第二届(IWMCG-2,1997)和第八届(IWMCG-8,2015)国际晶体生长模拟研讨会主席,理论与应用力学国际协会联合主席、流体力学分会主席等;Francois Dupret教授同时也是欧洲材料成型科学协会董事、比利时FNRS研究基金主席团主席;至今出版著作5部,发表期刊论文40余篇,会议论文100余篇,在国际晶体生长及其数值模拟领域享有极高声望。

        本次演讲,Dupret教授将分析直拉硅单晶生长过程的各种点缺陷(point defects)、空洞(microvoid)等缺陷形成机理、数学模型及其在半导体直拉硅晶体生长工艺中的模拟仿真应用。

       真诚欢迎您的参加!

 

        地点:上海大学延长校区金属楼会议室

        时间:2016年5月17日 上午10:00 — 11:30

 

        主办单位:上海大学国际事务处

        承办单位:上海大学材料科学与工程学院